金属有机物化学气相沉积装置
文献类型：专利
| 作者 | 段瑞飞
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| 发表日期 | 2010-08-12 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 一种金属有机物化学气相沉积装置，其特征在于，包括:一反应室，该反应室用于同时生长氮化物和氧化锌的半导体外延薄膜材料;一有机源通道，该有机源通道的一端与反应室的一入口连接，用于为反应室生长氮化物或者氧化锌材料提供金属源材料;一气源通道，该气源通道的一端与反应室的另一入口连接，用于为反应室生长氮化物或者氧化锌材料提供氮源或者氧源;一气路分配单元，该气路分配单元的输出端与有机源通道和气源通道的另一端连接;一有机源，该有机源通过管路与气路分配单元的输入端连接;一载气，该载气通过管路与气路分配单元的输入端连接;一气源，该气源通过管路与气路分配单元的输入端连接。 |
| 英文摘要 | 一种金属有机物化学气相沉积装置，其特征在于，包括:一反应室，该反应室用于同时生长氮化物和氧化锌的半导体外延薄膜材料;一有机源通道，该有机源通道的一端与反应室的一入口连接，用于为反应室生长氮化物或者氧化锌材料提供金属源材料;一气源通道，该气源通道的一端与反应室的另一入口连接，用于为反应室生长氮化物或者氧化锌材料提供氮源或者氧源;一气路分配单元，该气路分配单元的输出端与有机源通道和气源通道的另一端连接;一有机源，该有机源通过管路与气路分配单元的输入端连接;一载气，该载气通过管路与气路分配单元的输入端连接;一气源，该气源通过管路与气路分配单元的输入端连接。; 于AD批量导入至AEzhangdi; Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3557.pdf: 445980 bytes, checksum: b2673bb6282a6876196a133e6182d3b8 (MD5) |
| 公开日期 | 2010-02-24 ; 2010-08-12 ; 2010-10-15 |
| 申请日期 | 2008-08-20 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200810118737.8 |
| 专利代理 | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13382]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 段瑞飞. 金属有机物化学气相沉积装置. 2010-08-12. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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