电学测试的汞探针装置
文献类型：专利
| 作者 | 刘兴昉
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| 发表日期 | 2010-08-12 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 一种电学测试的汞探针装置，其特征在于，包括:一基座，该基座为扁平状的圆柱体，在基座的中心处纵向开有一细水银槽，在基座的中心处细水银槽的周围开有圆环形的水银槽;在基座的左侧圆柱体侧壁上开有一左水银槽，该左水银槽与圆环形的水银槽连通;与左水银槽相对的位置开有一右水银槽，该右水银槽与细水银槽垂直连通;与左、右水银槽垂直，在基座的上面分别开有一与左、右水银槽连通的左、右水银通道;一左推杆，该左推杆的一端插入在左水银槽内;一右推杆，该右推杆的一端插入在右水银槽内。 |
| 英文摘要 | 一种电学测试的汞探针装置，其特征在于，包括:一基座，该基座为扁平状的圆柱体，在基座的中心处纵向开有一细水银槽，在基座的中心处细水银槽的周围开有圆环形的水银槽;在基座的左侧圆柱体侧壁上开有一左水银槽，该左水银槽与圆环形的水银槽连通;与左水银槽相对的位置开有一右水银槽，该右水银槽与细水银槽垂直连通;与左、右水银槽垂直，在基座的上面分别开有一与左、右水银槽连通的左、右水银通道;一左推杆，该左推杆的一端插入在左水银槽内;一右推杆，该右推杆的一端插入在右水银槽内。; 于AD批量导入至AEzhangdi; Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3560.pdf: 276556 bytes, checksum: a128bb57138fc300afd770ec6a2cb765 (MD5) |
| 公开日期 | 2010-02-10 ; 2010-08-12 ; 2010-10-15 |
| 申请日期 | 2008-08-06 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200810118013.3 |
| 专利代理 | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13388]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘兴昉. 电学测试的汞探针装置. 2010-08-12. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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