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电学测试的汞探针装置

文献类型:专利

作者刘兴昉
发表日期2010-08-12
专利国别中国
专利类型发明
权利人中国科学院半导体研究所
中文摘要一种电学测试的汞探针装置,其特征在于,包括:一基座,该基座为扁平状的圆柱体,在基座的中心处纵向开有一细水银槽,在基座的中心处细水银槽的周围开有圆环形的水银槽;在基座的左侧圆柱体侧壁上开有一左水银槽,该左水银槽与圆环形的水银槽连通;与左水银槽相对的位置开有一右水银槽,该右水银槽与细水银槽垂直连通;与左、右水银槽垂直,在基座的上面分别开有一与左、右水银槽连通的左、右水银通道;一左推杆,该左推杆的一端插入在左水银槽内;一右推杆,该右推杆的一端插入在右水银槽内。
英文摘要一种电学测试的汞探针装置,其特征在于,包括:一基座,该基座为扁平状的圆柱体,在基座的中心处纵向开有一细水银槽,在基座的中心处细水银槽的周围开有圆环形的水银槽;在基座的左侧圆柱体侧壁上开有一左水银槽,该左水银槽与圆环形的水银槽连通;与左水银槽相对的位置开有一右水银槽,该右水银槽与细水银槽垂直连通;与左、右水银槽垂直,在基座的上面分别开有一与左、右水银槽连通的左、右水银通道;一左推杆,该左推杆的一端插入在左水银槽内;一右推杆,该右推杆的一端插入在右水银槽内。; 于AD批量导入至AEzhangdi; Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3560.pdf: 276556 bytes, checksum: a128bb57138fc300afd770ec6a2cb765 (MD5)
公开日期2010-02-10 ; 2010-08-12 ; 2010-10-15
申请日期2008-08-06
语种中文
专利申请号CN200810118013.3
专利代理汤保平:中科专利商标代理有限责任公司
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13388]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
刘兴昉. 电学测试的汞探针装置. 2010-08-12.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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