叠层半导体激光器光纤排/束侧面泵浦方法
文献类型：专利
| 作者 | 王大拯 ; 冯小明 ; 王勇刚 ; 刘素平 ; 马骁宇 |
| 发表日期 | 2010-08-12 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 本发明一种叠层半导体激光器光纤排/束侧面泵浦方法，其特征在于，包括如下:步骤1:制作一矩形铜质的半导体激光器叠层热沉，在叠层热沉的一面上采用精密微加工方法，沿叠层热沉的横向加工制得多组V型槽;步骤2:沿叠层热沉的纵向，在具有多组V型槽的一面的下方的两侧制作两片镀金铜片;步骤3:在两片镀金铜片之间、叠层热沉具有多组V型槽一面的下方粘接多组双包层光纤。 |
| 英文摘要 | 本发明一种叠层半导体激光器光纤排/束侧面泵浦方法，其特征在于，包括如下:步骤1:制作一矩形铜质的半导体激光器叠层热沉，在叠层热沉的一面上采用精密微加工方法，沿叠层热沉的横向加工制得多组V型槽;步骤2:沿叠层热沉的纵向，在具有多组V型槽的一面的下方的两侧制作两片镀金铜片;步骤3:在两片镀金铜片之间、叠层热沉具有多组V型槽一面的下方粘接多组双包层光纤。; 于AD批量导入至AEzhangdi; Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:43Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3565.pdf: 317903 bytes, checksum: bc3605ef78249ad001c1c5672ef66f11 (MD5) |
| 公开日期 | 2010-02-03 ; 2010-08-12 ; 2010-10-15 |
| 申请日期 | 2008-07-31 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200810117495.0 |
| 专利代理 | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13398]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王大拯,冯小明,王勇刚,等. 叠层半导体激光器光纤排/束侧面泵浦方法. 2010-08-12. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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