在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法
文献类型：专利
| 作者 | 王鹏飞 ; 吴东海 ; 吴兵朋 ; 熊永华 ; 詹 峰 ; 黄社松 ; 倪海桥 ; 牛智川 |
| 发表日期 | 2010-08-12 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法，包括如下步骤:步骤1:选取(100)面偏向<111>方向6°或9°的Ge衬底;步骤2:对Ge衬底进行除气脱氧及退火处理;步骤3:将进行退火处理后的Ge衬底在As蒸气环境下暴露一定时间，然后在温度300至650℃范围内在该Ge衬底上生长无反相畴的GaAs薄膜。测试结果表明，生长出的GaAs薄膜表面粗糙度仅为0.718nm，即成功地抑制了反相畴的产生，其晶体质量优于目前世界的最好结果。 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法，包括如下步骤:步骤1:选取(100)面偏向<111>方向6°或9°的Ge衬底;步骤2:对Ge衬底进行除气脱氧及退火处理;步骤3:将进行退火处理后的Ge衬底在As蒸气环境下暴露一定时间，然后在温度300至650℃范围内在该Ge衬底上生长无反相畴的GaAs薄膜。测试结果表明，生长出的GaAs薄膜表面粗糙度仅为0.718nm，即成功地抑制了反相畴的产生，其晶体质量优于目前世界的最好结果。; 于AD批量导入至AEzhangdi; Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3581.pdf: 422413 bytes, checksum: e1cfb81e6c1626f5c57ebf8d209ab276 (MD5) |
| 公开日期 | 2010-01-13 ; 2010-08-12 ; 2010-10-15 |
| 申请日期 | 2008-07-09 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200810116412.6 |
| 专利代理 | 周国城:中科专利商标代理有限责任公司 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13430]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王鹏飞,吴东海,吴兵朋,等. 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法. 2010-08-12. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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