GaN基日盲型紫外探测器面阵及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 颜廷静
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| 发表日期 | 2010-08-12 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 一种GaN基日盲型紫外探测器面阵，包括:一衬底;一成核层，该成核层生长在衬底上;一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层生长在成核层上;一有源层，该有源层生长在N型欧姆接触层上;一P型欧姆接触层，该P型欧姆接触层生长在有源层上;一P型欧姆接触电极，该P型欧姆接触电极生长在P型欧姆接触层上;一二次金属，该二次金属生长在P型欧姆接触电极的上面;一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极生长在N型欧姆接触层上;一钝化层，该钝化层淀积在N型欧姆接触层、有源层、P型欧姆接触层、P型欧姆接触电极、二次金属和N型欧姆接触电极的两侧。 |
| 英文摘要 | 一种GaN基日盲型紫外探测器面阵，包括:一衬底;一成核层，该成核层生长在衬底上;一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层生长在成核层上;一有源层，该有源层生长在N型欧姆接触层上;一P型欧姆接触层，该P型欧姆接触层生长在有源层上;一P型欧姆接触电极，该P型欧姆接触电极生长在P型欧姆接触层上;一二次金属，该二次金属生长在P型欧姆接触电极的上面;一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极生长在N型欧姆接触层上;一钝化层，该钝化层淀积在N型欧姆接触层、有源层、P型欧姆接触层、P型欧姆接触电极、二次金属和N型欧姆接触电极的两侧。; 于AD批量导入至AEzhangdi; Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:47Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3582.pdf: 747016 bytes, checksum: d4333f6c398a78c4c8c259bcdadeb430 (MD5) |
| 公开日期 | 2010-01-16 ; 2010-08-12 ; 2010-10-15 |
| 申请日期 | 2008-07-02 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200810116040.7 |
| 专利代理 | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13432]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 颜廷静. GaN基日盲型紫外探测器面阵及其制作方法. 2010-08-12. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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