应用微波光子晶体的共面波导结构
文献类型：专利
| 作者 | 张 昀 ; 哈森其其格 ; 任 民 ; 鞠 昱 ; 陈 伟 ; 谢 亮 ; 祝宁华 |
| 发表日期 | 2010-08-12 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种应用微波光子晶体的共面波导结构，该结构包括:用于高频传输的一电介质层(3);用于限制电磁波的一光子晶体地平面(2)，该光子晶体地平面(2)由多个微波光子晶体单元结构(1)连接构成，位于该电介质层(3)之上，且与该电介质层(3)紧密结合;用于传播电磁波的一中心导体(4)，该中心导体(4)是一根L型50欧姆铜导线，在导线中间位置发生90度弯折，位于该电介质层(3)之上，且与该电介质层(3)紧密结合。本发明提供的这种应用微波光子晶体的共面波导结构，有效的减少了信号的泄漏，简化了制备工艺，使其更适合于单片微波集成，并能提高实共面波导的传输系数。 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种应用微波光子晶体的共面波导结构，该结构包括:用于高频传输的一电介质层(3);用于限制电磁波的一光子晶体地平面(2)，该光子晶体地平面(2)由多个微波光子晶体单元结构(1)连接构成，位于该电介质层(3)之上，且与该电介质层(3)紧密结合;用于传播电磁波的一中心导体(4)，该中心导体(4)是一根L型50欧姆铜导线，在导线中间位置发生90度弯折，位于该电介质层(3)之上，且与该电介质层(3)紧密结合。本发明提供的这种应用微波光子晶体的共面波导结构，有效的减少了信号的泄漏，简化了制备工艺，使其更适合于单片微波集成，并能提高实共面波导的传输系数。; 于AD批量导入至AEzhangdi; Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:48Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3589.pdf: 378162 bytes, checksum: 1b9efc90efd2a25588b9b3fef97eccb8 (MD5) |
| 公开日期 | 2009-12-23 ; 2010-08-12 ; 2010-10-15 |
| 申请日期 | 2008-06-18 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200810115161.X |
| 专利代理 | 周国城:中科专利商标代理有限责任公司 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13446]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张 昀,哈森其其格,任 民,等. 应用微波光子晶体的共面波导结构. 2010-08-12. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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