高密度DNA测序芯片及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 李运涛
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| 发表日期 | 2010-08-12 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 一种高密度DNA测序芯片，其特征在于，包括:一氧化铝薄膜，该氧化铝薄膜上制备有蜂巢状的通孔;一DNA测序芯片的基片;其中该氧化铝薄膜上的蜂巢状的通孔是采用阳极氧化方法形成，将该氧化铝薄膜直接转移至DNA测序芯片的基片的表面，形成池壁为氧化铝薄膜，池底为DNA测序芯片的基片表面的微反应池阵列。本发明具有密度高、成本低、操作简单、适于大规模工业化制作的优点。 |
| 英文摘要 | 一种高密度DNA测序芯片，其特征在于，包括:一氧化铝薄膜，该氧化铝薄膜上制备有蜂巢状的通孔;一DNA测序芯片的基片;其中该氧化铝薄膜上的蜂巢状的通孔是采用阳极氧化方法形成，将该氧化铝薄膜直接转移至DNA测序芯片的基片的表面，形成池壁为氧化铝薄膜，池底为DNA测序芯片的基片表面的微反应池阵列。本发明具有密度高、成本低、操作简单、适于大规模工业化制作的优点。; 于AD批量导入至AEzhangdi; Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3596.pdf: 401528 bytes, checksum: d9ec9a4ae47f28cf9bfbf664120ce826 (MD5) |
| 公开日期 | 2009-12-09 ; 2010-08-12 ; 2010-10-15 |
| 申请日期 | 2008-06-06 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200810114536.0 |
| 专利代理 | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13460]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李运涛. 高密度DNA测序芯片及其制作方法. 2010-08-12. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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