高密度DNA微阵列生物芯片的制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 李运涛
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| 发表日期 | 2010-08-12 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 一种高密度DNA微阵列生物芯片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤:步骤1:在铝或铝合金薄膜表面采用阳极氧化方法制作高密度多孔氧化铝模板;步骤2:将多孔氧化铝模板从铝或铝合金薄膜表面上剥离;步骤3:将多孔氧化铝模板转移至DNA微阵列生物芯片基片表面，作为DNA微阵列生物芯片基片的刻蚀掩膜;步骤4:采用刻蚀的方法对DNA微阵列生物芯片基片进行刻蚀;步骤5:移除多孔氧化铝模板，完成高密度DNA微阵列生物芯片的制作。本发明其具有密度高、成本低、操作简单、适于大规模工业化制作的优点。 |
| 英文摘要 | 一种高密度DNA微阵列生物芯片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤:步骤1:在铝或铝合金薄膜表面采用阳极氧化方法制作高密度多孔氧化铝模板;步骤2:将多孔氧化铝模板从铝或铝合金薄膜表面上剥离;步骤3:将多孔氧化铝模板转移至DNA微阵列生物芯片基片表面，作为DNA微阵列生物芯片基片的刻蚀掩膜;步骤4:采用刻蚀的方法对DNA微阵列生物芯片基片进行刻蚀;步骤5:移除多孔氧化铝模板，完成高密度DNA微阵列生物芯片的制作。本发明其具有密度高、成本低、操作简单、适于大规模工业化制作的优点。; 于AD批量导入至AEzhangdi; Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3597.pdf: 377719 bytes, checksum: 9cfd35a2de4cdfde519c185f77b4294b (MD5) |
| 公开日期 | 2009-12-09 ; 2010-08-12 ; 2010-10-15 |
| 申请日期 | 2008-06-06 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200810114509.3 |
| 专利代理 | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13462]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李运涛. 高密度DNA微阵列生物芯片的制作方法. 2010-08-12. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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