一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置
文献类型：专利
| 作者 | 刘兴昉
|
| 发表日期 | 2010-08-12 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置，包含:一密封操作箱为一矩形箱体，在密封操作箱的一背面开有两个圆孔，顶部有一个出气口，底部有一个进气口，正面有两个用于密封安装橡胶手套的操作口;两个三通过渡连接件的端口为法兰端口，该两个三通过渡连接件的一端分别与该密封操作箱上的两个圆孔连接;两个石英管的一端分别与两个三通过渡连接件的另一端水平连接;两个进气法兰盘分别与两个石英管的另一端连接;两个热壁石墨腔室分别位于两个石英管内部的中央处;两个加热器分别套置于两个石英管外部的中央处，与两个热壁石墨腔室对应;一工做台用于放置上述各部件;一真空样品交接室的一端与密封操作箱的一侧壁连接，其下端有一个排气孔，该排气孔与外部的抽真空系统连接;一进样门位于真空样品交接室与密封操作箱连接处内侧。 |
| 英文摘要 | 一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置，包含:一密封操作箱为一矩形箱体，在密封操作箱的一背面开有两个圆孔，顶部有一个出气口，底部有一个进气口，正面有两个用于密封安装橡胶手套的操作口;两个三通过渡连接件的端口为法兰端口，该两个三通过渡连接件的一端分别与该密封操作箱上的两个圆孔连接;两个石英管的一端分别与两个三通过渡连接件的另一端水平连接;两个进气法兰盘分别与两个石英管的另一端连接;两个热壁石墨腔室分别位于两个石英管内部的中央处;两个加热器分别套置于两个石英管外部的中央处，与两个热壁石墨腔室对应;一工做台用于放置上述各部件;一真空样品交接室的一端与密封操作箱的一侧壁连接，其下端有一个排气孔，该排气孔与外部的抽真空系统连接;一进样门位于真空样品交接室与密封操作箱连接处内侧。; 于AD批量导入至AEzhangdi; Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3599.pdf: 820586 bytes, checksum: 4fdfd252032d444cae87a7cc71e4401b (MD5) |
| 公开日期 | 2009-12-02 ; 2010-08-12 ; 2010-10-15 |
| 申请日期 | 2008-05-28 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200810113296.2 |
| 专利代理 | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13466]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘兴昉. 一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置. 2010-08-12. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。