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高密度电子封装材料基础研究

文献类型:成果

主要完成人程兆年 ; 王国忠 ; 彩霞 ; 徐步陆 ; 黄卫东
获奖日期2001
获奖类别鉴定
获奖等级
中文摘要高密度电子封装是目前集成电路发展的一个瓶颈问题。该项目从连续介质力学角度出发,基于塑性变形和蠕变变形产生于同一机制即位错运动,建立统一型粘塑性本构方程来研究SnPb焊料的形变行为;建立了统一型本构方程,通过有限元模拟建立了寿命预测方法。建立了描述高分子聚合物底充胶的粘弹性本构方程,并已应用于分析电子封装的挠曲变形、分层失效和可靠性,对封装寿命和失效提出了预测和评价方法。该项目在电子封装材料的本构描述、电子封装失效的寿命预测等方面,已在学术有重要创新,开展了有特色的工作。
语种中文
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113516]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果
推荐引用方式
GB/T 7714
程兆年,王国忠,彩霞,等. 高密度电子封装材料基础研究. 鉴定:无. 2001.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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