采用侧墙技术制备有纳米硅通道的埋氧的方法
文献类型：成果
| 主要完成人 | 董业民 ; 王曦 ; 陈猛 ; 陈静 |
| 获奖日期 | 2004 |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 近年来,随着微电子工业的飞速发展,SOI技术越来越受到重视,并在微电子和MEMS等领域得到了广泛应用。SOI材料的优越性主要归功于掩埋绝缘层的存在。由于埋氧将顶层的硅薄膜和衬底给离开来,给器件性能和制造工艺上都带来了好处,目前商业化的SOI材料中的埋氧都是连续的,也就是埋氧存在于整个SOI晶片之中,这种全片的SOI材料给新兴器件的设计和某些制造工艺带来了一定限制,比如在MEMS器件的制造工艺中,常常要将局部的埋氧腐蚀掉以制造悬浮在空气中的结构,由于埋氧是连续的,所以埋氧的横向腐蚀是无法控制的,要控制埋氧的 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113520]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董业民,王曦,陈猛,等. 采用侧墙技术制备有纳米硅通道的埋氧的方法. 鉴定:无. 2004. |
入库方式： OAI收割
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