一种实现碳纳米管薄膜阴极图形化场致发射显示的方法
文献类型：成果
| 主要完成人 | 冯涛 ; 戴丽娟 ; 蒋军 ; 王曦 ; 张正选 |
| 获奖日期 | 2006 |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 本发明提供一种简单而有效的方法来实现印刷法制备的CNT薄膜阴极的图形化场致发射显示,其特征在于首先将直接印刷整片的碳纳米管薄膜,通过热处理工艺去除印刷过程中的有机添加物得到整片的碳纳米管薄膜阴极,然后通过机械的表面图形转移法使需要显示的图形转移到碳纳米管薄膜阴极表面,从而实现印刷法制备的碳纳米管阴极图形化场致发射显示;本发明提供的方法不需图形化的印刷模版,也不需要复杂的后处理工艺,大大减少了工艺步骤和工艺成本,通过一次机械的表面图形转移就可以实现印刷法制备的 CNT薄膜阴极的图形化显示。 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113530]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯涛,戴丽娟,蒋军,等. 一种实现碳纳米管薄膜阴极图形化场致发射显示的方法. 鉴定:无. 2006. |
入库方式： OAI收割
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