制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系
文献类型：成果
| 主要完成人 | 李爱珍 ; 林春 ; 郑燕兰 ; 简贵胄 ; 张永刚 |
| 获奖日期 | 2002 |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 该发明研发了制备锑化镓基半导体器件用的新化学腐蚀液,它包括盐酸系、氢氟酸系和酒石酸盐系三种体系。盐酸系腐蚀液组成为盐酸、酒石酸和水;氢氟酸系腐蚀液组成为氢氟酸、酒石酸和双氧水;酒石酸盐系腐蚀液组成为酒石酸钾钠、盐酸和双氧水。这三种腐蚀液具有不破坏光刻胶掩膜,腐蚀速率适中可控(小于 1 μm/min), 与器件工艺兼容等特点, 能应用于GaSb、AlGaAsSb、InGaAsSb等二元和四元系Ⅲ-V族锑化物的台面腐蚀,五年多来应用该发明己成功地研制出 2～2.1 微米中红外室温连续AlGaAsSb/InGa |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113559]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李爱珍,林春,郑燕兰,等. 制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系. 鉴定:无. 2002. |
入库方式： OAI收割
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