分子束外延3～5族锑化物激光器、探测器材料及其应用
文献类型：成果
| 主要完成人 | 李爱珍 ; 郑燕兰 ; 张永刚 ; 林春 ; 钟金权 ; 胡建 ; 李存才 ; 简贵胄 ; 杨全魁 |
| 获奖日期 | 2000 |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 该成果采用分子束外延生长Ⅲ～Ⅴ族锑化物量子阱、异质结构材料;设计了加宽波导AlGaAsSb/InGaAsSb 多量子阱激光器结构,加宽禁带窗口的AlGaAsSb/InGaAsSb pin探测器结构;提出了MBE激光器、探测器基础材料GaSb,AlGaAsSb,InGaAsSb及AlGaAsSb/InGaAsSb缺陷来源的热应力模型及其抑制途径,非故意掺杂InGaAsSb剩余载流子的本性及其降低途径,n型-AlGaAsSb施主掺杂与能带的关系,及多量子界面控制;在此基础上优化MBE生长工艺,研制出高质量Al |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113562]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李爱珍,郑燕兰,张永刚,等. 分子束外延3～5族锑化物激光器、探测器材料及其应用. 鉴定:无. 2000. |
入库方式： OAI收割
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