以氮化铝为绝缘埋层的绝缘体上的硅材料制备方法
文献类型：成果
| 主要完成人 | 林成鲁 ; 张苗 ; 王连卫 ; 黄继颇 ; 多新中 |
| 获奖日期 | 2001 |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 本发明属于微电子学与固体电子学中半导体材料的制造工艺,进一步说是一种以AlN为绝缘埋层的新型SOI材料制备方法。绝缘体上的硅即SOI(SilicononInsulator)电路具有高速、低功耗、抗辐射等优点,在航空航天、军工电子、便携式通讯系统等方面具有重要应用背景,被认为是二十一世纪的硅集成电路技术,倍受人们重视。目前的SOI材料均采用SiO_2作为绝缘埋层。由于SiO_2导热性能差,在很大程度上限制了SOI材料在高温与大功耗电路中的应用。AlN材料具有热导率高,电阻率大,击穿场强高,热膨胀系数与Si相 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113590]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林成鲁,张苗,王连卫,等. 以氮化铝为绝缘埋层的绝缘体上的硅材料制备方法. 鉴定:无. 2001. |
入库方式： OAI收割
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