硅中分子离子注入的损伤增强效应
文献类型：成果
| 主要完成人 | 林成鲁 ; 邹世昌 ; 周祖尧 ; 杨根庆 ; 林梓鑫 ; 方子韦 ; 李晓勤 |
| 获奖日期 | 2001 |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 硅中分子离子注入的研究是半导体离子注入领域中的一个前沿课题,具有重要的学科意义和很强的应用价值。该成果研究了BF2+、P2+、AS2+注入硅的损伤增强效应,揭示了其区别于常规单原子离子注入的特殊性,提出了分子离子在注入过程中与靶原子相互作用的多体碰撞模型,并应用计算机模拟技术对损伤增强效应的机制做出了有说服力的解释。 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113592]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林成鲁,邹世昌,周祖尧,等. 硅中分子离子注入的损伤增强效应. 鉴定:无. 2001. |
入库方式： OAI收割
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