GaN基材料RF等离子体MBE生长
文献类型：成果
| 主要完成人 | 齐鸣 ; 李爱珍 ; 李伟 ; 任尧成 ; 李存才 ; 赵智彪 ; 陈建新 ; 张永刚 ; 郑燕兰 ; 魏茂林 ; 茹国平 |
| 获奖日期 | 2000 |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 通过研究建立了射频等离子体分子束外延系统及辅助系统。在白宝石、SiC、HVPEGaN/Al2O3三种衬底上生长出具有光学特性、结构特性、电学特性的GaN、AlGaN(XAL0-0.25)材料。研制了AlGaN/GaN/Al2O3、GaN/AlGaN/4H-SiCHEMT和二维电子气结构材料,进行了GaN器件单项基础工艺试验,建立了GaN磨削方法,获得稳定的刻蚀速度;研制了光电导型GaN紫外探测器,建立了7K-350K变温He-Cd光源紫外红外光栅光谱仪,用来测量宽禁带材料的光学特性。GaN基材料在高亮度发 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113617]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 齐鸣,李爱珍,李伟,等. GaN基材料RF等离子体MBE生长. 鉴定:无. 2000. |
入库方式： OAI收割
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