Ⅲ-Ⅴ族氮化物射频等离子体MBE及特性研究
文献类型：成果
| 主要完成人 | 齐鸣 ; 李爱珍 ; 李伟 ; 赵智彪 ; 张永刚 ; 李存才 |
| 获奖日期 | 2001 |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 本项目通过研究建立了RF-plasma技术和GaN基材料表征方法,解决了缓冲层设计、掺杂特性、单层和多层异质结构材料生长及其工艺优化等若干关键科学和技术问题,达到GaN生长速率≥0.5μm/h,本底浓度在10的17次方cm-3数量级,缺陷密度在10的8次方cm-2数量级,室温载流子迁移率μ＞100cm^2/Vs。研制出GaN、AlN、AlGaN(Al组分Xal=0-0.4)单层和AlGaN/GaN多层异质结构材料,其中AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)结构材料电子面密度ns≥10的13次方cm-2, |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113618]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 齐鸣,李爱珍,李伟,等. Ⅲ-Ⅴ族氮化物射频等离子体MBE及特性研究. 鉴定:无. 2001. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。