气态源分子束外延InGaP/GaAs HBT材料
文献类型：成果
| 主要完成人 | 齐鸣 ; 徐安怀 ; 陈晓杰 ; 朱福英 ; 艾立鹍 ; 李爱珍 ; 李存才 ; 胡建 |
| 获奖日期 | 2005 |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 解决了GSMBE生长InGaP/GaAs HBT外延材料的关键科学和技术问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的4英寸InGaP/GaAs HBT材料。所发展的超薄层异质外延材料技术,在InGaP/GaAs HBT材料结构设计和GSMBE生长工艺方面不仅吸取了国内外已有的经验,而且在不掺杂隔离层设计、As/P气氛切换工艺、基区p型重掺杂及其扩散抑制等关键技术上有所发展和创新,形成了自己的特色。器件研制单位采用本成果外延材料研制的InGaP/GaAs HBT器件可稳定达到β＞50,fT≥8 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113619]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 齐鸣,徐安怀,陈晓杰,等. 气态源分子束外延InGaP/GaAs HBT材料. 鉴定:无. 2005. |
入库方式： OAI收割
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