深反应离子刻蚀技术中可动结构的牺牲层保护方法(中科院)
文献类型：成果
| 主要完成人 | 王东平 ; 王文辉 ; 李铁 ; 杨艺榕 ; 王跃林 |
| 获奖日期 | 2004 |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 本发明公开一种深反应离子刻蚀技术中可动结构的牺牲层保护方法,针对深反应离子刻蚀技术在制作具有可动结构的器件中出现的可动结构释放后即受到较大破坏的问题,采用牺牲曾固定可动结构,使器件可动结构在进行深反应离子刻蚀工艺时始终保持静止不释放状态以保护可动结构的完整性,而采用后续的无损去牺牲层方法释放可动结构并最终完成器件的制作,提高可动器件制作中的成品率。 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113645]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王东平,王文辉,李铁,等. 深反应离子刻蚀技术中可动结构的牺牲层保护方法(中科院). 鉴定:无. 2004. |
入库方式： OAI收割
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