AlGaInP/GaAs HBT功率放大器
文献类型：成果
| 主要完成人 | 夏冠群 ; 孙晓玮 ; 程智群 ; 束为民 ; 盛怀茂 ; 张美圣 ; 钱蓉 ; 郝幼申 |
| 获奖日期 | 2002 |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 材料为发射极制备的HBT作为微波功率放大器的有源器件。材料体系在所有与GaAs晶格匹配的材料体系中具有最大的价带不连续性(△EV),能有效抑制HBT器件工作时基极空穴的反向注入,改善结区和整个器件的温度特性,使器件有更高的输出功率。其主要特点是：功率增益大,线性度好,功率转换效率高等。HBT以其优越的高频高功率特性,在空间技术、精密制导、智能武器及雷达、通讯等军事和民用技术领域有着广泛的应用前景。 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113697]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 夏冠群,孙晓玮,程智群,等. AlGaInP/GaAs HBT功率放大器. 鉴定:无. 2002. |
入库方式： OAI收割
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