局部绝缘体上的硅制作功率器件的结构及实现方法
文献类型：成果
| 主要完成人 | 杨文伟 ; 俞跃辉 ; 董业民 ; 程新红 |
| 获奖日期 | 2005 |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 本发明提出了一种局部绝缘体上的硅(partial SOI)制作功率器件,一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管(LDMOS)的结构及实现方法。这种局部SOI LDMOS器件的结构特征在于源端远离沟道区的下方无埋氧,有利于散热;源端和沟道区下方的埋氧是连续的而且具有同一厚度;漏端的埋氧与沟道区埋氧虽然连续,但是具有不同的厚度。这种结构克服了常规SOI器件的自热效应,而且提高了器件的击穿电压,降低了源漏电容,提高了器件的频率特性。 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113730]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨文伟,俞跃辉,董业民,等. 局部绝缘体上的硅制作功率器件的结构及实现方法. 鉴定:无. 2005. |
入库方式： OAI收割
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