改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量方法
文献类型：成果
| 主要完成人 | 于广辉 ; 雷本亮 ; 叶好华 ; 齐鸣 |
| 获奖日期 | 2006 |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种In改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法,特征在于在HVPE生长GaN的过程中采用了In辅助外延生长。它是通过在HVPE反应室中同时放置镓(Ga)舟和In舟来实现的。Ga舟和In舟放在相同的温区,或放在不同的温区,HCl气体流过Ga舟和In舟,通过对于产生的InCl和GaCl的量进行调节,满足生长的需要。GaN结晶膜的生长温度为1000-1100℃,在此温度下不会形成InGaN合金,其他条件与通常的HVPE生长GaN的条件相同。由于In的引入,Ga原子的表面迁移长度增加,而这对于 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113735]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于广辉,雷本亮,叶好华,等. 改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量方法. 鉴定:无. 2006. |
入库方式： OAI收割
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