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改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量方法

文献类型:成果

主要完成人于广辉 ; 雷本亮 ; 叶好华 ; 齐鸣
获奖日期2006
获奖类别鉴定
获奖等级
中文摘要本发明涉及一种In改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法,特征在于在HVPE生长GaN的过程中采用了In辅助外延生长。它是通过在HVPE反应室中同时放置镓(Ga)舟和In舟来实现的。Ga舟和In舟放在相同的温区,或放在不同的温区,HCl气体流过Ga舟和In舟,通过对于产生的InCl和GaCl的量进行调节,满足生长的需要。GaN结晶膜的生长温度为1000-1100℃,在此温度下不会形成InGaN合金,其他条件与通常的HVPE生长GaN的条件相同。由于In的引入,Ga原子的表面迁移长度增加,而这对于
语种中文
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113735]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果
推荐引用方式
GB/T 7714
于广辉,雷本亮,叶好华,等. 改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量方法. 鉴定:无. 2006.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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