SiCOI材料及其在高温微传感器中应用
文献类型：成果
| 主要完成人 | 俞跃辉 ; 任琮欣 ; 雷永明 ; 宋朝瑞 |
| 获奖日期 | 2001 |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 该项成果主要用于晶态SiC膜合成。研究中由高纯硅、高纯CH4气体在高真空反应直流磁控溅射(UHV-RMS)系统中产生硅、碳等离子体,应用附加强非平衡磁场,在800℃～900℃条件下,在SIMOX衬底上合成了取向一致、高质量的晶态SiC薄膜;采用AFM、STM观测了SiC表面形貌,并采用GA-XRD、X射线极图及Phi扫描分析,进一步定量了解其晶格取向程度。通过分析SiC膜的晶格振动光学特征,建立解析红外反射谱光学表征SiC膜晶格完整性方法;充分利用所得的SiC图形工艺,研制出了基于SiCOI结构的高温微压 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113744]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 俞跃辉,任琮欣,雷永明,等. SiCOI材料及其在高温微传感器中应用. 鉴定:无. 2001. |
入库方式： OAI收割
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