SOI硅高温压力传感器
文献类型：成果
| 主要完成人 | 张轩雄 ; 王广麦 ; 陆德仁 ; 杨根庆 ; 董荣康 ; 卢平芳 ; 王文襄 ; 刘秀娥 |
| 获奖日期 | 1999 |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 该成果为国家“九五”攻关课题。该成果采用Si-SiO_2-Si键合技术获得SOI材料,利用KOH腐蚀的方法制作出敏感硅膜和弹性体用的硅杯结构,采用干法刻蚀技术制作出敏感电阻全桥,利用单晶硅的压阻效应实现压力信号向电信号的转换。其性能指标达到901年代同类产品的国际先进水平。该成果填补了国内低量程段高温压力传感器的空白,特别是解决了过程控制中对过热蒸汽的高温压力测量问题,目前已取得了一定的经济效益。 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113751]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张轩雄,王广麦,陆德仁,等. SOI硅高温压力传感器. 鉴定:无. 1999. |
入库方式： OAI收割
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