双绝缘埋层绝缘体上硅基二维光子晶体波导及制备方法
文献类型：成果
| 主要完成人 | 章宁琳 ; 宋志棠 ; 林成鲁 ; 汪洋 |
| 获奖日期 | 2002 |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 本发明涉及具有不同于SiO_2的绝缘埋层的二维光子晶体波导及制备方法。更确切地说,涉及一种采用改进智能剥离(Smart-Cut)技术先制备具有双绝缘埋层的绝缘埋层上的硅(SOI)基底;然后结合传统的微细加工技术制备二维光子晶体波导,属于光电子技术领域。提出一种不同于传统介质波导的具有双绝缘埋层SOI基的二维光子晶体波导及制作方法,属于光电子技术领域。本发明特征在于一种采用改进智能剥离法(Smart-Cut)制备SOI基底方法,然后结合电子束光刻和深反应离子刻蚀,来制备具有二维周期结构的光子晶体,同时引入线 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113758]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 章宁琳,宋志棠,林成鲁,等. 双绝缘埋层绝缘体上硅基二维光子晶体波导及制备方法. 鉴定:无. 2002. |
入库方式： OAI收割
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