低能离子束增强沉积装置
文献类型：成果
| 主要完成人 | 周祖尧 ; 杨根庆 ; 张玉春 ; 杨石奇 ; 朱贻芬 ; 王伯祥 ; 郑志宏 ; 柳襄怀 |
| 获奖日期 | 2002 |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 该成果采用蒸发束、溅射束、轰击束三束同时工作,或任意选择其中两束组合的低能离子束增强沉积工作模式。它具有超高真空靶室系统,显著地降低了残余气体元素沾污。自行研制的低能轰击离子源具有良好的工作性能,在离子能量低达50eV时,仍可获得流强较大的Ar^+、N^+、O^+ 等气体离子束,十分有利于多种新颖薄膜的合成。在该装置上进行的CAAs相变光学记录薄膜和FeN_x高饱和磁化强度薄膜合成的研究结果表明,该装置沉积速率稳定,可控性良好,对于功能薄膜合成有突出的优势。 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113776]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周祖尧,杨根庆,张玉春,等. 低能离子束增强沉积装置. 鉴定:无. 2002. |
入库方式： OAI收割
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