Investigation of wetting layers in InAs/GaAs self-assembled nanostructures with reflectance difference spectroscopy
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang, H.Y ; Chen, Y.H ; Wang, Z.G |
| 刊名 | journal of bionanoscience
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 6期号:1页码:200-216 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | EI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-04-19 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23889]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang, H.Y,Chen, Y.H,Wang, Z.G. Investigation of wetting layers in InAs/GaAs self-assembled nanostructures with reflectance difference spectroscopy[J]. journal of bionanoscience,2012,6(1):200-216. |
| APA | Zhang, H.Y,Chen, Y.H,&Wang, Z.G.(2012).Investigation of wetting layers in InAs/GaAs self-assembled nanostructures with reflectance difference spectroscopy.journal of bionanoscience,6(1),200-216. |
| MLA | Zhang, H.Y,et al."Investigation of wetting layers in InAs/GaAs self-assembled nanostructures with reflectance difference spectroscopy".journal of bionanoscience 6.1(2012):200-216. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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