A 2 nm low temperature GaN spacer to improve the transport properties of two-dimensional electron gas in AlGaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures
文献类型：期刊论文
| 作者 | Ding, Jieqin ; Wang, Xiaoliang ; Xiao, Hongling ; Wang, Cuimei ; Chen, Hong ; Bi, Yang ; Deng, Qinwen ; Zhang, Jingwen ; Hou, Xun |
| 刊名 | applied physics letters
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| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 101期号:18页码:182102 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | EI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-04-19 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23896]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Ding, Jieqin,Wang, Xiaoliang,Xiao, Hongling,et al. A 2 nm low temperature GaN spacer to improve the transport properties of two-dimensional electron gas in AlGaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures[J]. applied physics letters,2012,101(18):182102. |
| APA | Ding, Jieqin.,Wang, Xiaoliang.,Xiao, Hongling.,Wang, Cuimei.,Chen, Hong.,...&Hou, Xun.(2012).A 2 nm low temperature GaN spacer to improve the transport properties of two-dimensional electron gas in AlGaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures.applied physics letters,101(18),182102. |
| MLA | Ding, Jieqin,et al."A 2 nm low temperature GaN spacer to improve the transport properties of two-dimensional electron gas in AlGaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures".applied physics letters 101.18(2012):182102. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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