Infrared reflectance study of 3C-SiC epilayers grown on silicon substrates
文献类型:期刊论文
作者 | Dong, Lin ; Sun, Guosheng ; Zheng, Liu ; Liu, Xingfang ; Zhang, Feng ; Yan, Guoguo ; Zhao, Wanshun ; Wang, Lei ; Li, Xiguang ; Wang, Zhanguo |
刊名 | journal of physics d: applied physics
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出版日期 | 2012 |
卷号 | 45期号:24页码:245102 |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | EI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2013-04-22 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23918] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Dong, Lin,Sun, Guosheng,Zheng, Liu,et al. Infrared reflectance study of 3C-SiC epilayers grown on silicon substrates[J]. journal of physics d: applied physics,2012,45(24):245102. |
APA | Dong, Lin.,Sun, Guosheng.,Zheng, Liu.,Liu, Xingfang.,Zhang, Feng.,...&Wang, Zhanguo.(2012).Infrared reflectance study of 3C-SiC epilayers grown on silicon substrates.journal of physics d: applied physics,45(24),245102. |
MLA | Dong, Lin,et al."Infrared reflectance study of 3C-SiC epilayers grown on silicon substrates".journal of physics d: applied physics 45.24(2012):245102. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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