Analysis of the ohmic contacts of Ti/Al/Ni/Au to AlGaN/GaN HEMTs by the multi-step annealing process
文献类型:期刊论文
作者 | Yan, Wei ; Zhang, Renping ; Du, Yandong ; Han, Weihua ; Yang, Fuhua |
刊名 | journal of semiconductors
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出版日期 | 2012 |
卷号 | 33期号:6页码:064005 |
学科主题 | 人工智能 |
收录类别 | EI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2013-04-22 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23932] ![]() |
专题 | 半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Yan, Wei,Zhang, Renping,Du, Yandong,et al. Analysis of the ohmic contacts of Ti/Al/Ni/Au to AlGaN/GaN HEMTs by the multi-step annealing process[J]. journal of semiconductors,2012,33(6):064005. |
APA | Yan, Wei,Zhang, Renping,Du, Yandong,Han, Weihua,&Yang, Fuhua.(2012).Analysis of the ohmic contacts of Ti/Al/Ni/Au to AlGaN/GaN HEMTs by the multi-step annealing process.journal of semiconductors,33(6),064005. |
MLA | Yan, Wei,et al."Analysis of the ohmic contacts of Ti/Al/Ni/Au to AlGaN/GaN HEMTs by the multi-step annealing process".journal of semiconductors 33.6(2012):064005. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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