High-temperature (T = 80 °c) operation of a 2 μm InGaSb - AlGaAsSb quantum well laser
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang, Yu ; Wang, Yongbin ; Xu, Yingqiang ; Xu, Yun ; Niu, Zhichuan ; Song, Guofeng |
| 刊名 | Journal of Semiconductors
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 33期号:4页码:044006 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | EI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-04-19 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23915]  |
| 专题 | 半导体研究所_纳米光电子实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang, Yu,Wang, Yongbin,Xu, Yingqiang,et al. High-temperature (T = 80 °c) operation of a 2 μm InGaSb - AlGaAsSb quantum well laser[J]. Journal of Semiconductors,2012,33(4):044006. |
| APA | Zhang, Yu,Wang, Yongbin,Xu, Yingqiang,Xu, Yun,Niu, Zhichuan,&Song, Guofeng.(2012).High-temperature (T = 80 °c) operation of a 2 μm InGaSb - AlGaAsSb quantum well laser.Journal of Semiconductors,33(4),044006. |
| MLA | Zhang, Yu,et al."High-temperature (T = 80 °c) operation of a 2 μm InGaSb - AlGaAsSb quantum well laser".Journal of Semiconductors 33.4(2012):044006. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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