水滑石晶体生长机理
文献类型:期刊论文
作者 | 吴健松 ; 肖应凯 ; 汪剑宇 ; 文丽容 |
刊名 | 中国科学:技术科学
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出版日期 | 2012-04-20 |
期号 | 4页码:486-492 |
关键词 | 负离子配位多面 体生长基元模型 生长机理 生长形态 姜-泰效应 水滑石晶体 |
中文摘要 | 从"生长基元"角度出发,研究了水滑石晶体生长机理,结果表明水滑石生长形态符合负离子配位多面体生长模型.采用Raman光谱分析了镁铝水滑石、铜镁铝类水滑石、铜锌镁铝类水滑石生长溶液拉曼位移,发现镁铝水滑石层板生长基元是[Mg-(OH)6]4-,[Al-(OH)6]3-;含铜锌类水滑石的生长基元是[M-(OH)6]4-(M=Zn2+,Cu2+),[Mg-(OH)6]4-,[Al-(OH)6]3-,水滑石的生长是生长基元先叠合为金属板层,然后再吸附阴离子An及H2O,依此循环而组成层状化合物.水滑石生长基元所处生长环境不同,会使生长形态不同,以至形成不同外形的水滑石.文章还分析了为什么含铜类水滑石较... |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2013-04-22 |
源URL | [http://ir.isl.ac.cn/handle/363002/1275] ![]() |
专题 | 青海盐湖研究所_青海盐湖研究所知识仓储 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴健松,肖应凯,汪剑宇,等. 水滑石晶体生长机理[J]. 中国科学:技术科学,2012(4):486-492. |
APA | 吴健松,肖应凯,汪剑宇,&文丽容.(2012).水滑石晶体生长机理.中国科学:技术科学(4),486-492. |
MLA | 吴健松,et al."水滑石晶体生长机理".中国科学:技术科学 .4(2012):486-492. |
入库方式: OAI收割
来源:青海盐湖研究所
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