硅纳米线热电性能研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 霍建琴 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2012-05-31 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 冯飞 |
| 关键词 | 硅纳米线 热电优值ZT 测试结构 热导率 |
| 其他题名 | Research On Thermoelectric Performance of Silicon Nanowires |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 制备高热电优值的热电材料是将热能直接转换成电能的环境友好型热电转换技术的关键之一。硅作为存储量大、工艺成熟、成本低的半导体工业材料，若以降低材料维数等方法使硅纳米线热电优值达到与目前主流材料同等量级，那么硅纳米线就有望成为新一代的热电材料，广泛应用于热电发电、制冷等。本论文建立了硅纳米线热电优值的理论模型，理论分析表明载流子浓度是影响热电优值的关键因素之一，当载流子浓度n=7.81×1018cm-3 时，热电优值取得最大值 ZT=9.22×10-3 (T=300K)；此外纳米线的特征尺寸对于热电优值也 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-04-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/114965]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 霍建琴. 硅纳米线热电性能研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2012. |
入库方式： OAI收割
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