石墨烯材料化学气相沉积法的可控制备及表征
文献类型：学位论文
| 作者 | 吴渊文 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2012-05-22 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 于广辉 |
| 关键词 | 石墨烯 化学气相沉积 层数可控 单晶 电学性质 |
| 其他题名 | Study on the Controllable Synthesis and Characterization of Graphene by Chemical Vapor Deposition |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 石墨烯在电子器件、复合材料和储能器件等领域有着广阔的应用前景。目前，基于过渡族金属上的化学气相沉积技术（CVD）是制备大面积石墨烯薄膜所主要使用的方法。但受其生长、形核机制的限制，CVD法制备的多晶石墨烯在控制其层数和均匀性方面面临很大挑战，而天生的多晶结构也严重影响了石墨烯的电学性能。因此，开发能够获得大面积、高质量、层数均匀可控单晶石墨烯的新技术或新衬底材料是目前该领域的研究热点。本论文研究基于CVD法的石墨烯可控制备及表征，所开展的主要工作和结论如下：1. 利用自行改装的CVD设备在钼基、钴膜和铜箔 |
| 公开日期 | 2013-04-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/114968]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴渊文. 石墨烯材料化学气相沉积法的可控制备及表征[D]. 北京. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2012. |
入库方式： OAI收割
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