InP基短波红外探测器材料生长和优化设计
文献类型：学位论文
| 作者 | 王凯 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2012-05-25 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 张永刚 |
| 关键词 | 短波红外 气态源分子束外延 InGaAs InAlGaAs 光电探测器 |
| 其他题名 | Growth and Optimization of InP-Based Short-wave Infrared |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 本学位论文工作围绕面向空间遥感InP基探测器材料这一主题，以改善短波红外探测器性能为目标，发展并优化了短波红外探测器的结构，并初步开展了短波红外InAlGaAs探测器材料的制备过程。论文工作取得的主要成果如下：1、研究了面向空间遥感应用的InP基晶格匹配In0.53Ga0.47As和InP等基础材料的生长工艺和组分、掺杂控制技术，完成了InP基晶格匹配In0.53Ga0.47As探测器的材料生长和表征工作，测试了2英寸材料的组分非均匀性，通过建立模型分析了吸收层参数非均匀性对器件性能非均匀性的影响。2、针 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-04-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/114998]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王凯. InP基短波红外探测器材料生长和优化设计[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2012. |
入库方式： OAI收割
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