600V SOI高压器件的设计与性能的研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 王中健 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2012-05-26 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 俞跃辉 |
| 关键词 | SOI LDMOS LIGBT 高压器件 功率集成电路 |
| 其他题名 | Design and performance study of 600V SOI Devices |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 公开日期 | 2013-04-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115000]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王中健. 600V SOI高压器件的设计与性能的研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2012. |
入库方式： OAI收割
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