高密度相变存储器选通二极管器件关键技术研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 张超 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2012-05-25 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 宋志棠 |
| 关键词 | 相变存储器 二极管阵列器件 CMOS工艺 |
| 其他题名 | Development of Dual-Trench Epitaxial Diode Array and the Key Technology for Applications of High Density Phase Change Memory |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 为了实现高密度相变存储器（PCRAM），开发并系统研究了双沟道外延二极管器件关键技术，分析了二极管阵列器件的物理机制，取得了以下创新成果：1） 在国际上首次开发了基于双沟道隔离技术的外延二极管阵列器件；基于0.13微米CMOS工艺平台、单元面积为0.196um2（5F2）的16X16二极管阵列器件具有良好的电学性能和抗串扰能力。2） 提出并实现了双沟道外延二极管阵列结构的关键技术。采用砷元素作为离子源实现了结深为0.3um，面电阻为60ohm的低阻字线层；提出并实现了三步外延法制备纳米量级的外延薄膜，成功 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-04-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115001]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张超. 高密度相变存储器选通二极管器件关键技术研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2012. |
入库方式： OAI收割
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