相变存储芯片的电路设计及高速优化技术研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 丁晟 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2012-05-25 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 宋志棠 |
| 关键词 | 相变存储器(PCRAM) 计数器型编程电路 self-write RWW 高速差分 |
| 其他题名 | Research of Phase Change Memory Chip Design and High-Speed Optimization Techniques |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 相变存储器（PCRAM）是一种具有非易失、低功耗、适于低压操作、高密度、兼容更低CMOS工艺节点、高速度、高抗辐射能力的新一代固态存储器件。PCRAM因其各项优异性能，被广泛地认为是替代SRAM、DRAM、FLASH等主流存储器件的有力候选者之一。本文围绕相变存储器的芯片设计这一方向，重点针对PCRAM替代DRAM过程中亟需解决的高速问题展开一系列的创新优化研究，主要为以下几个方面：1. 本文在充分调研主流存储芯片设计理念和思想之后，整理和概括了一套适用于PCRAM芯片设计的基本解决方案。主要部分为：PC |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-04-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115003]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丁晟. 相变存储芯片的电路设计及高速优化技术研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2012. |
入库方式： OAI收割
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