平面型相变存储器的制备及性能研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 杜小锋 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2012-05-25 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 刘卫丽,宋志棠 |
| 关键词 | 相变存储器(PCM) 线形平面相变存储器 桥型平面相变存储器 硬掩膜 聚焦离子束（FIB） |
| 其他题名 | Lateral Phase Change Memory Fabrication and Scaling Property Studies |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 随着半导体技术和手持终端的发展，人们对更快速度、更大容量和更低功耗的存储器的需求越来越迫切。相变存储器是利用电脉冲产生的热量使存储介质在多晶态（低阻）和非晶态（高阻）之间相互转换实现信息的写入和擦除操作的一种新型存储器技术。由于其在读写速度、读写次数、数据保持力和与CMOS工艺兼容等方面具有着诸多优势，被认为是下一代主流存储器的有力竞争者。纳米材料由于其在尺寸上的固有特征，与同等组分的体材料相比会具有不同的性质。为了确保相变存储器在纳米尺寸下正常工作，非常有必要研究其材料和器件在纳米尺寸下的性能。本文正是 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-04-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115004]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杜小锋. 平面型相变存储器的制备及性能研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2012. |
入库方式： OAI收割
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