相变存储器芯片设计
文献类型：学位论文
| 作者 | 富聪 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2012-05-25 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 宋志棠 |
| 关键词 | 相变存储器(PCM) 相变随机存储器（PCRAM） Ge2Sb2Te5 DC-DC 电荷泵 |
| 其他题名 | Circuit Design of Phase Change Random Access Memory |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 为了实现相变随机存储器（PCRAM）的读写功能，优化性能，展开了对相变存储阵列，编程驱动电路，读出驱动电路，写前预读写后校验算法，DC-DC电路的研究与改进，取得了以下成果：1．为获得1T1R（one transistor and one resistance）存储单元在存储阵列中的编程操作参数，相变存储单元电阻阻值分布，及相变存储单元的疲劳特性，以SMIC 180nm 标准CMOS工艺平台，设计了具有16K bits, 1M bits相变存储单元阵列的测试芯片和分立功能模块，通过芯片外仪器得到的测试结果 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-04-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115005]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 富聪. 相变存储器芯片设计[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2012. |
入库方式： OAI收割
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