纳米相变存储单元的数值模拟研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 龚岳峰 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2012-05-25 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 宋志棠 |
| 关键词 | 相变存储器（PCRAM） Ge2Sb2Te5 有限元 COMSOL 器件单元结构 |
| 其他题名 | Modeling and Simulation of Phase Change Random Access Memory |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 相变存储器（Phase Change Random Access Memory, PCRAM）器件单元在纳米尺度下的快速阻变和可逆相变过程是一个复杂的瞬态物理过程，受到电场，温度场，结晶动力学和应力等因素综合影响。由于纳米尺度下很难表征纳秒级瞬态微观结构和动力学过程，因此数值模拟成为研究PCRAM的必要手段。通过数值模拟，可以获得器件操作中的各种物理图像，从而指导优化器件单元结构和材料，提高产品开发效率。本论文基于有限元电热模型模拟了PCRAM单元RESET操作中的电阻快速变化过程。并通过分析底电极直径为 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-04-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115006]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 龚岳峰. 纳米相变存储单元的数值模拟研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2012. |
入库方式： OAI收割
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