短波红外InGaAs探测器性能分析及器件研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 李成 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2012-05-25 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 张永刚 |
| 关键词 | InGaAs 探测器 短波红外 |
| 其他题名 | Performance Analysis and Device Study of Short-wave Infrared InGaAs Detectors |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 本学位论文围绕空间遥感用InGaAs探测器的器件物理和工艺展开了深入研究，通过探测器性能的理论分析，并结合器件工艺处理，研制了不同截止波长的台面型InGaAs单元器件和256×1线阵，对其相关性能进行了表征分析。本论文的主要结果总结如下：1. 建立了更接近于实际器件的InGaAs探测器光谱响应，暗电流及探测率模型，估算了InGaAs材料的吸收系数、载流子迁移率及少数载流子寿命，分析了吸收层厚度、掺杂浓度、界面复合、少子扩散长度及温度对In0.53Ga0.47As探测器光谱响应的影响。2. 理论分析了In0 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-04-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115009]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李成. 短波红外InGaAs探测器性能分析及器件研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2012. |
入库方式： OAI收割
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