锑碲、锗碲相变材料掺杂改性的从头算研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 李学来 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2012-05-25 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 刘卫丽,宋志棠 |
| 关键词 | 相变存储器 锑碲 锗碲相变材料掺杂 第一性原理计算 从头算分子动力学 |
| 其他题名 | Ab initio Study of Doping Modification of SbTe/GeTe-based Phase Change Material |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 相变存储器具有高速度、高密度、低功耗和非易失性等特点，被认为是最具发展前景的下一代存储器。相变材料是相变存储器的核心部分，相变材料的改进对提高相变存储器的性能，应对市场不同的需求，至关重要。元素掺杂是提升相变材料性能的主要手段，研究掺杂成分对相变材料微观结构、相变物理机制和宏观电学、力学性能的影响十分必要。材料计算能高效地研究材料的微观结构、电学和光学性质，并模拟材料中原子在外场作用下的行为，是实验的有效辅助手段，已成为研究相变材料的重要工具。本论文在实验数据的基础上，采用第一性原理计算和从头算分子动力学 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-04-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115010]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李学来. 锑碲、锗碲相变材料掺杂改性的从头算研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2012. |
入库方式： OAI收割
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