深亚微米闪存分立器件的总剂量辐射效应及加固技术研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 刘张李 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2012-05-18 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 邹世昌,张正选 |
| 关键词 | 总剂量辐射效应 陷阱正电荷 浅沟槽隔离氧化物 辐射加固 |
| 其他题名 | Total Ionizing Dose Effect and Radhard for the Discrete Devices of Deep Submicron Embbeded Flash |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 闪存具有高密度、快速、高可靠性等特点，越来越受到国防和空间电子应用的关注。闪存结构复杂，主要包含用于实现逻辑功能的控制电路部分和用于存储信息的存储单元部分，两者辐射效应差异明显，导致研究其辐射效应非常复杂。因此，研究闪存分立器件的辐射效应损伤机理是非常有必要的。本论文深入开展了0.18 μm嵌入式闪存分立器件的总剂量辐射效应损伤机理及加固技术研究。主要研究内容包括：研究器件尺寸、不同偏置模式、栅偏置电压、衬底偏置电压对器件总剂量辐射效应的影响；研究辐射诱生窄沟效应；研究辐射增强漏致势垒降低效应；研究栅覆盖 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-04-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115012]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘张李. 深亚微米闪存分立器件的总剂量辐射效应及加固技术研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2012. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。