低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈诺夫
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| 刊名 | 固体电子学研究与进展
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| 出版日期 | 2004-06-30 |
| 卷号 | 24期号:2页码:258-261 |
| 关键词 | 镓、钆、砷薄膜 低能离子束系统 砷化镓衬底 |
| 通讯作者 | 宋书林 |
| 中文摘要 | 室温条件下 ,用离子束外延设备制备 ( Ga,Gd,As)样品 ,X射线衍射 ( XRD)结果表明除了 Ga As衬底峰 ,没有发现其他新相的衍射峰。俄歇电子能谱 ( AES)分析了样品中元素随深度的变化 ,不同样品中元素的分布有着不同的特点。并运用原子力显微镜 ( AFM)研究了样品表面的形貌特点 ,表明样品表面的粗糙度与 Gd注入过程中在样品表面沉积的多少有关。运用交变梯度磁强计 ( AGM)对薄膜进行磁性分析 ,结果表明有的样品在室温条件下出现铁磁性 ,但金属钆本身具有室温铁磁性 ,因而需要进一步分析。 |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 60 1760 0 1 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-08-03 ; 2010-08-20 |
| 源URL | [http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/41850]  |
| 专题 | 力学研究所_力学所知识产出(1956-2008) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈诺夫. 低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜[J]. 固体电子学研究与进展,2004,24(2):258-261. |
| APA | 陈诺夫.(2004).低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜.固体电子学研究与进展,24(2),258-261. |
| MLA | 陈诺夫."低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜".固体电子学研究与进展 24.2(2004):258-261. |
入库方式： OAI收割
来源：力学研究所
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