离子束外延制备GaAs:Gd薄膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈诺夫
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| 刊名 | 功能材料
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| 出版日期 | 2004-06-25 |
| 期号 | 3页码:336-337 |
| 关键词 | GaAs∶Gd薄膜 低能离子束外延 GaAs衬底 |
| 通讯作者 | 宋书林 |
| 中文摘要 | 室温条件下,用低能离子束外延制备了GaAs∶Gd薄膜,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰没有发现其它新相的衍射峰,并借助于高分辨X射线衍射(HR XRD)进一步分析了晶格常数的变化特点。俄歇电子能谱(AES)分析了样品表面的成分,及元素随深度的分布规律,在60nm深处元素的相对含量发生明显改变,运用原子力显微镜(AFM)揭示了样品表面的形貌特点。 |
| 资助信息 | 国家自然科学基金资助项目(60176001); 国家重大基础研究计划资助项目(G20000365和G2002CB311905) |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-08-03 ; 2010-08-20 |
| 源URL | [http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/41954]  |
| 专题 | 力学研究所_力学所知识产出(1956-2008) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈诺夫. 离子束外延制备GaAs:Gd薄膜[J]. 功能材料,2004(3):336-337. |
| APA | 陈诺夫.(2004).离子束外延制备GaAs:Gd薄膜.功能材料(3),336-337. |
| MLA | 陈诺夫."离子束外延制备GaAs:Gd薄膜".功能材料 .3(2004):336-337. |
入库方式： OAI收割
来源：力学研究所
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