~(28)Si_n~-(n=1;2)离子对Ag表面的溅射研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王震遐 ; 潘冀生 ; 章骥平 ; 陶振兰 ; 杜光天 ; 王传珊 ; 李欣年 ; 谢诒芬 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 1995-05-30 |
| 期号 | 05 |
| 中文摘要 | 用原子捕获膜技术结合卢瑟福背散射谱;测定了具有相同原子能量(16keV/原子)的~(25)Si_m~-(n=1;2)离子冲击Ag靶的溅射原子角分布。结果表明;~(26)Si_1~-冲击引起的Ag原子角分布较~(25)Si_2~-冲击在小发射角θ(Ag原子发射方向与靶表面法线方向之间的夹角)区有更大的增强。结合扫描电子显微镜对靶点表面的分析;我们认为这种角分布变化;可能暗示必须考虑靶点表面形貌特征差别的影响。 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-01-23 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/10736]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海原子核所2003年前 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王震遐,潘冀生,章骥平,等. ~(28)Si_n~-(n=1;2)离子对Ag表面的溅射研究[J]. 物理学报,1995(05). |
| APA | 王震遐.,潘冀生.,章骥平.,陶振兰.,杜光天.,...&谢诒芬.(1995).~(28)Si_n~-(n=1;2)离子对Ag表面的溅射研究.物理学报(05). |
| MLA | 王震遐,et al."~(28)Si_n~-(n=1;2)离子对Ag表面的溅射研究".物理学报 .05(1995). |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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