1．56MeV Sb~＋注入单晶硅的反常退火行为
文献类型：期刊论文
| 作者 | 高剑侠 ; 朱德彰 ; 曹德新 ; 周祖尧 ; 赵国庆 |
| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 1994-01-10 |
| 期号 | 01 |
| 中文摘要 | 剂量为２×１０（１３）－５×１０（１５）ｃｍ（－２）的１．５６ＭｅＶＳｂ＋注入Ｓｉ（１００）后;向石英炉中通入流动纯Ａｒ气进行热退火（退火温度为５００一１０５０℃;时间为３０ｍｉｎ）。采用３ＭｅＶＨｅ（２＋）卢瑟福背散射／沟道技术和透射电镜技术测量样品的注人损伤以及退火特性;结合计算机模拟数据;结果表明：缺陷的产生类型与注入离子的剂量、样品退火温度密切相关。 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-01-23 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/10794]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海原子核所2003年前 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高剑侠,朱德彰,曹德新,等. 1．56MeV Sb~＋注入单晶硅的反常退火行为[J]. 核技术,1994(01). |
| APA | 高剑侠,朱德彰,曹德新,周祖尧,&赵国庆.(1994).1．56MeV Sb~＋注入单晶硅的反常退火行为.核技术(01). |
| MLA | 高剑侠,et al."1．56MeV Sb~＋注入单晶硅的反常退火行为".核技术 .01(1994). |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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