14MeV中子辐照对发光二极管GaAsP性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 潘洪进 ; 芮静宜 |
| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 1984-01-31 |
| 期号 | 01 |
| 中文摘要 | <正> 发光二极管具有体积小、耗电少、调制性能好等优点;目前已广泛用于各个领域;它的辐照损伤研究曾有不少文章评论过;通过辐射损伤的研究;可以对管子的性能、辐射损伤机理及加固方法提供有价值的数据。我们利用200keV中子发生器;由T(d;n)~4He反应得到14MeV中子在室温条件下辐照发光二极管;并用光电倍加管、脉冲高度分析器测量在不同累积中子通量辐照下发光强度;从而得到发光二极管的光强变化与累积中子通量的关系;并初步确定辐射损伤常数。 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-01-23 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/10807]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海原子核所2003年前 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 潘洪进,芮静宜. 14MeV中子辐照对发光二极管GaAsP性能的影响[J]. 核技术,1984(01). |
| APA | 潘洪进,&芮静宜.(1984).14MeV中子辐照对发光二极管GaAsP性能的影响.核技术(01). |
| MLA | 潘洪进,et al."14MeV中子辐照对发光二极管GaAsP性能的影响".核技术 .01(1984). |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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